MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT
G
ps
, POWER GAIN (dB)
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
IMD, INTERMODULATION
DISTORTION SHOULDER (dBc)
Figure 19. DVB--T (8k OFDM) Drain Efficiency, Power Gain and
IMD Shoulder versus Output Power ? 470--860 MHz
5--30860 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
5
25
10
-- 5
-- 1 5
Gps
VDD=
50 Vdc, IDQ
= 700 mA
DVB--T (8k OFDM), 64 QAM Data
Carrier Modulation, 5 Symbols
30
15
ηD
20
IMD(1)
470 MHz
665 MHz
665 MHz
--
0
-- 1 0
860 MHz
-- 2 0
470 MHz
665 MHz
860 MHz
470 MHz
35
0 20040
80 120 160
-- 2 5
(1) Intermodulation distortion shoulder measurement made using
delta marker at 4.2 MHz offset from center frequency.
G
ps
, POWER GAIN (dB)
TC
=35°C
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. Broadband Power Gain and IRL versus Frequency
900
450
IRL, INPUT RETURN LOSS (dB)
VDD=50Vdc,Pout
= 125 W Avg.
IDQ
= 1400 mA, DVB--T (8k OFDM)
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
10
21
17
13
19
15
C
-- 1 2
0
-- 3
500 600 700 800550 650 750 850
-- 4
-- 11
Gps
IRL
75°C
22
20
18
16
14
12
11
-- 1
-- 2
C
-- 5
-- 6
C
-- 1 0
-- 9
-- 7
-- 8
75°C
50°
50°
35°
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. Broadband Drain Efficiency and IMD Shoulder versus Frequency
900
450
VDD=50Vdc,Pout
= 125 W Avg., IDQ
= 1400 mA
DVB--T (8k OFDM), 64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
η
D
,
DRAIN EFFICIENCY (%)
17
37
35
27
31
-- 3 5
-- 1 5
-- 1 9
-- 2 3
-- 1 7
-- 2 1
TC
=35°C
IMD(1)
ηD
35°C
75°C
500 600 700 800550 650 750 850
(1) Intermodulation distortion shoulder measurement made using
delta marker at 4.2 MHz offset from center frequency.
29
19
21
-- 2 5
-- 2 9
C
-- 2 7
C
-- 3 3
-- 3 1
50°
50°
75°C
33
25
23
IMD, INTERMODULATION
DISTORTION SHOULDER (dBc)
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